Id-dar - Prodotti - Apparat Semikonduttur tal-Enerġija - Apparat Sic - Id-dettalji

Sic Mosfet

Is-SiC MOSFET għandu frekwenza ta 'swiċċjar ogħla, swiċċjar baxx ħafna
telf, ittejjeb l-effiċjenza tal-konverżjoni tal-enerġija tas-sistema u
inaqqas ir-rekwiżiti tad-dissipazzjoni tas-sħana taċ-ċiklu termali, u
b'vultaġġ tas-sewqan kompatibbli mal-IGBT, dv/dt kompletament kontrollabbli,
vultaġġ għoli ta 'imblukkar b'resistenza baxxa, dajowd intrinsiku veloċi
b'irkupru baxx b'lura, swiċċjar tat-tifi indipendenti tat-temperatura
telf, Aloġenu ħieles, RoHS konformi. Prinċipalment applikabbli għal: inverter PV,
ħażna ta 'enerġija, provvista ta' enerġija industrijali, sewqan bil-mutur, munzell ta 'ċċarġjar
u oqsma oħra.

Ibgħat l-inkjesta

Deskrizzjoni

SiC MOSFET huwa transistor b'effett ta 'kamp ibbażat fuq materjal semikonduttur tal-karbur tas-silikon,

li għandu titjib sinifikanti fil-prestazzjoni meta mqabbel ma 'MOSFET tas-silikon tradizzjonali. ‌

Il-benefiċċji ewlenin tas-SiC MOSFETs jinkludu:

‌ frekwenza għolja tax-xogħol ‌: SiC MOSFETs frekwenza tax-xogħol hija ħafna ogħla minn tradizzjonali

MOSFETs tas-silikon, jistgħu jilħqu 1MHz jew saħansitra ogħla, li jagħmel is-sistema tal-enerġija fil-

kapaċitatur, inductor jew transformer volum jistgħu jitnaqqsu, u b'hekk titnaqqas l-ispiża ta '

provvista ta 'enerġija, biex tinkiseb il-minjaturizzazzjoni u s-sbuħija tal-enerġija ‌.

‌ on-impedenza baxxa ‌ : l-on-impedenza ta 'SiC MOSFET hija baxxa, u l-minimu intern

reżistenza ta 'tubu wieħed jista' jilħaq diversi milliohms, li jgħin biex jitnaqqas l-użu ta '

sinkijiet tas-sħana, tnaqqas aktar il-volum u l-piż tal-provvista tal-enerġija, u ttejjeb il-

effiċjenza u affidabbiltà tal-provvista tal-enerġija ‌.

‌vultaġġ għoli ‌: MOSFETs SiC għandhom reżistenza għal vultaġġ għoli, li hija partikolarment importanti

għal applikazzjonijiet ta 'pressjoni għolja ‌.

‌stabbiltà fit-temperatura għolja ‌: minħabba l-karatteristiċi tax-xogħol f'temperatura għolja tiegħu, SiC MOSFET

ittejjeb ħafna l-istabbiltà tat-temperatura għolja, adattata għax-xogħol f'temperatura għolja

ambjent ‌.

Temperatura operattiva għolja ‌ : It-temperatura operattiva massima garantita ta '

MOSFETs SiC kummerċjali huwa 150 grad < Tj < 200 grad, u t-temperatura tal-junction tista 'tilħaq

sa 600 grad, li jagħmel SiC adattat għal vultaġġ għoli, veloċità għolja, kurrent għoli, temperatura għolja,

applikazzjonijiet tal-provvista tal-enerġija tal-qlib ‌.

Nru tal-Parti.	Pakkett	BVDSS(V)	ID(A)@Tc=25 grad	VGS(V)	RDS(on) (mΩ)tip	Tjmx(grad)	Qg(nC)
WSCM01KMA170T2C	LILL--263US-7L	1700	5	-5~15	720	175	13
WSCM01KJ170T2C	TO-247-3L	1700	5	-5~15	720	175	13
WSCM160R120T2C	TO-247-4L	1200	17	-5~20	160	175	42
WSCM80MA120T2C	LILL--263US-7L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM80R120T2C	TO-247-4L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM032MA120T2C	LILL--263US-7L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM032R120T2C	TO-247-4L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM060LL65T2C	PEDAĠĠ	650	30	-5~20	60	175	65
WSCM060R65T2C	TO-247-4L	650	30	-5~20	60	175	65
WSCM035J65T2C	TO-247-3L	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM035R65T2C	TO-247-4L	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM035LL65T2C	PEDAĠĠ	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM032J120T2C	TO-247-3L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM80J120T2C	TO-247-3L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM01KEA170T2C	LILL-3PF	1700	5	-5~15	720	175	13